IPD50N04S4-08 MOSFET N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2

Կարճ նկարագրություն:

Արտադրողներ՝ Infineon
Ապրանքի կատեգորիա՝ MOSFET
Տվյալների թերթիկ:IPD50N04S4-08
Նկարագրություն՝ MOSFET N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2
RoHS կարգավիճակը՝ RoHS-ի համապատասխան


Ապրանքի մանրամասն

Հատկություններ

Ապրանքի պիտակներ

♠ Ապրանքի նկարագրություն

Ապրանքի հատկանիշ Հատկանիշի արժեք
Արտադրող: Ինֆինեոն
Ապրանքի կատեգորիա: ՄՈՍՖԵՏ
Տեխնոլոգիա: Si
Մոնտաժման ոճը. SMD/SMT
Փաթեթ / Պատյան: ՏՕ-252-3
Տրանզիստորի բևեռականություն. N-Channel
Ալիքների քանակը: 1 ալիք
Vds - արտահոսքի աղբյուրի խզման լարումը: 40 Վ
Id - Շարունակական արտահոսքի հոսանք. 50 Ա
Rds On - Drain-Source Resistance: 7,2 մՕմ
Vgs - Gate-Source Voltage: - 20 Վ, + 20 Վ
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 2 Վ
Qg - Դարպասի վճար: 22,4 nC
Նվազագույն աշխատանքային ջերմաստիճանը. - 55 C
Առավելագույն աշխատանքային ջերմաստիճանը. + 175 C
Pd - Power dissipation: 46 Վ
Ալիքի ռեժիմ. Ընդլայնում
Որակավորում: AEC-Q101
Ֆիրմային անվանումը: OptiMOS
Փաթեթավորում: Reel
Փաթեթավորում: Կտրել ժապավենը
Փաթեթավորում: MouseReel
Ապրանքանիշը: Infineon Technologies
Կոնֆիգուրացիա: Միայնակ
Աշնանային ժամանակ. 6 նս
Բարձրությունը: 2,3 մմ
Երկարությունը: 6,5 մմ
Ապրանքի տեսակը: ՄՈՍՖԵՏ
Բարձրացման ժամանակ. 7 ns
Սերիա: OptiMOS-T2
Գործարանային փաթեթի քանակը: 2500 թ
Ենթակատեգորիա: MOSFET-ներ
Տրանզիստորի տեսակը: 1 N-Channel
Անջատման տիպիկ հետաձգման ժամանակը. 5 նս
Տիպիկ միացման հետաձգման ժամանակը. 5 նս
Լայնությունը: 6,22 մմ
Մաս # Անանուններ. IPD5N4S48XT SP000711450 IPD50N04S408ATMA1
Միավոր քաշը: 0,011640 ունցիա

  • Նախորդը:
  • Հաջորդը:

  • • N-ալիք – Ընդլայնման ռեժիմ
    • AEC որակավորում
    • MSL1 մինչև 260°C գագաթնակետային վերամշակում
    • 175°C աշխատանքային ջերմաստիճան
    • Կանաչ արտադրանք (RoHS համապատասխանող)
    • 100% Ավալանշի փորձարկում

    Առնչվող ապրանքներ