IKW50N65EH5XKSA1 IGBT տրանզիստորներ INDUSTRY 14
♠ Ապրանքի նկարագրություն
| Ապրանքի հատկանիշ | Հատկանիշի արժեք |
| Արտադրող: | Ինֆինեոն |
| Ապրանքի կատեգորիա: | IGBT տրանզիստորներ |
| Տեխնոլոգիա: | Si |
| Փաթեթ / Պատյան: | ՏՕ-247-3 |
| Մոնտաժման ոճը. | Անցքով |
| Կոնֆիգուրացիա: | Միայնակ |
| Կոլեկցիոներ- Emitter Voltage VCEO Max: | 650 Վ |
| Կոլեկցիոներ-Էմիտերի հագեցվածության լարումը: | 1,65 Վ |
| Դարպասի թողարկողի առավելագույն լարումը. | 20 Վ |
| Շարունակական կոլեկցիոների հոսանք 25 C ջերմաստիճանում: | 80 Ա |
| Pd - Power dissipation: | 275 Վ |
| Նվազագույն աշխատանքային ջերմաստիճանը. | - 40 C |
| Առավելագույն աշխատանքային ջերմաստիճանը. | + 175 C |
| Սերիա: | Trenchstop IGBT5 |
| Փաթեթավորում: | Խողովակ |
| Ապրանքանիշը: | Infineon Technologies |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 100 նԱ |
| Բարձրությունը: | 20,7 մմ |
| Երկարությունը: | 15,87 մմ |
| Ապրանքի տեսակը: | IGBT տրանզիստորներ |
| Գործարանային փաթեթի քանակը: | 240 |
| Ենթակատեգորիա: | IGBT-ներ |
| Ֆիրմային անվանումը: | ԽՐԱՄԱՏԱԿԱՆ |
| Լայնությունը: | 5,31 մմ |
| Մաս # Անանուններ. | IKW50N65EH5 SP001257944 |
| Միավոր քաշը: | 0,213383 ունցիա |
HighspeedH5տեխնոլոգիաների առաջարկ
•Դասակարգում լավագույն արդյունավետությունը կոշտ անջատիչների և ռեզոնանսային տոպոլոգիաների մեջ
•Նախորդ սերնդի IGBT-ների հավելվածի փոխարինում
•650V վթարային լարում
•LowgatechargeQG
•IGBT-փաթեթավորված լիարժեք գնահատվածRAPID1-ով, կայուն փափուկ հակազուգահեռ դիոդով
•Միացման առավելագույն ջերմաստիճանը 175°C
•Որակավորված ըստ JEDEC-ի նպատակային հայտերի
•Pb-freeleadplating;RoHScompliant
• CompleteproductspectrumandPSpiceModels՝ http://www.infineon.com/igbt/
•Անխափան սնուցման սարքեր
•Արևային փոխարկիչներ
•Եռակցման փոխարկիչներ
•Հաճախականության փոխարկիչներ միջինից բարձր
