FDN337N MOSFET SSOT-3 N-CH 30V
♠ Ապրանքի նկարագրություն
| Արտադրանքի վերագրում | Valor de atributo |
| Fabricante: | onsemi |
| Արտադրանքի կատեգորիա. | ՄՈՍՖԵՏ |
| RoHS: | Մանրամասներ |
| Տեխնոլոգիա: | Si |
| Estilo de montaje: | SMD/SMT |
| Paquete / Cubierta: | ՍՕՏ-3 |
| Polaridad del transistor: | N-Channel |
| Numero de canales: | 1 ալիք |
| Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente: | 30 Վ |
| Id - Corriente de drenaje շարունակություն: | 2.2 Ա |
| Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente: | 65 մՕմ |
| Vgs - Tensión entre puerta y fuente: | - 8 Վ, + 8 Վ |
| Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente: | 400 մՎ |
| Qg - Carga de puerta: | 9 nC |
| Ջերմաստիճանի նվազագույն ջերմաստիճանը. | - 55 C |
| Առավելագույն ջերմաստիճանը. | + 150 C |
| Dp - Disipación de Potencia : | 500 մՎտ |
| Modo ջրանցք: | Ընդլայնում |
| Empaquetado: | Reel |
| Empaquetado: | Կտրել ժապավենը |
| Empaquetado: | MouseReel |
| Marca: | onsemi / Fairchild |
| Կազմաձևում՝ | Միայնակ |
| Tiempo de caída: | 10 նս |
| Transconductancia hacia delante - Min.: | 13 Ս |
| Altura: | 1,12 մմ |
| Երկայնություն: | 2,9 մմ |
| Արտադրանք: | MOSFET փոքր ազդանշան |
| Ապրանքի տեսակ. | ՄՈՍՖԵՏ |
| Սուբսիդիա: | 10 նս |
| Սերիա: | FDN337N |
| Կառուցվածքի կանոններ. | 3000 |
| Ենթակատեգորիա: | MOSFET-ներ |
| Տրանզիստորի տեսակ. | 1 N-Channel |
| Հուշագիր: | FET |
| Tiempo de retardo de apagado típico: | 17 ns |
| Ժողովրդավարության ժամանակացույցը. | 4 նս |
| Անչո. | 1,4 մմ |
| Alias de las piezas n.º: | FDN337N_NL |
| Peso de la unidad: | 0,001270 ունցիա |
♠ տրանզիստոր - N-ալիք, տրամաբանական մակարդակ, բարելավման ռեժիմի դաշտի էֆեկտ
SUPERSOT−3 N−Channel տրամաբանական մակարդակի բարելավման ռեժիմի ուժային դաշտի էֆեկտի տրանզիստորները արտադրվում են onsemi-ի սեփական, բարձր բջիջների խտության, DMOS տեխնոլոգիայի միջոցով:Այս շատ բարձր խտության գործընթացը հատկապես հարմարեցված է` նվազագույնի հասցնելու «on-state» դիմադրությունը:Այս սարքերը հատկապես հարմար են նոութբուք համակարգիչների, շարժական հեռախոսների, PCMCIA քարտերի և մարտկոցով աշխատող այլ սխեմաների ցածր լարման կիրառման համար, որտեղ արագ միացումն ու ցածր էներգիայի կորուստը անհրաժեշտ են ուրվագծային մակերևույթի տեղադրման շատ փոքր փաթեթում:
• 2.2 Ա, 30 Վ
♦ RDS (on) = 0,065 @ VGS = 4,5 Վ
♦ RDS (on) = 0,082 @ VGS = 2,5 Վ
• Արդյունաբերության ստանդարտ ուրվագիծ SOT−23 Մակերեւութային ամրացման փաթեթ՝ օգտագործելով սեփական SUPERSOT−3 դիզայն՝ գերազանց ջերմային և էլեկտրական հնարավորությունների համար
• Բարձր խտության բջիջների ձևավորում չափազանց ցածր RDS-ի համար (միացված)
• Բացառիկ միացման դիմադրություն և առավելագույն հաստատուն հոսանքի հնարավորություն
• Այս սարքը Pb-Free և Հալոգեններից զերծ է
