VNB35NV04TR-E սնուցման անջատիչ IC-ներ – Էլեկտրաէներգիայի բաշխում N-Ch 70V 35A OmniFET
♠ Ապրանքի նկարագրություն
Ապրանքի հատկանիշ | Հատկանիշի արժեք |
Արտադրող: | STMicroelectronics |
Ապրանքի կատեգորիա: | Power Switch ICs - Power Distribution |
Տիպ: | Հանգիստ կողմ |
Արդյունքների քանակը. | 1 Արդյունք |
Ընթացիկ սահմանաչափ. | 30 Ա |
Դիմադրության մասին - Max: | 13 մՕմ |
Ժամանակին - Max: | 500 ns |
Անջատման ժամանակ - առավելագույնը՝ | 3 մեզ |
Օպերացիոն մատակարարման լարումը. | 24 Վ |
Նվազագույն աշխատանքային ջերմաստիճանը. | - 40 C |
Առավելագույն աշխատանքային ջերմաստիճանը. | + 150 C |
Մոնտաժման ոճը. | SMD/SMT |
Փաթեթ / Պատյան: | D2PAK-2 |
Սերիա: | VNB35NV04-E |
Որակավորում: | AEC-Q100 |
Փաթեթավորում: | Reel |
Փաթեթավորում: | Կտրել ժապավենը |
Փաթեթավորում: | MouseReel |
Ապրանքանիշը: | STMicroelectronics |
Խոնավության զգայուն. | Այո՛ |
Pd - Power dissipation: | 125 Վ |
Ապրանք: | Բեռնել անջատիչներ |
Ապրանքի տեսակը: | Power Switch ICs - Power Distribution |
Գործարանային փաթեթի քանակը: | 1000 |
Ենթակատեգորիա: | Անջատիչ IC-ներ |
Միավոր քաշը: | 0,066315 ունցիա |
♠ OMNIFET II. լիովին ինքնապաշտպանված Power MOSFET
VNB35NV04-E, VNP35NV04-E և VNV35NV04-E-ը մոնոլիտ սարքեր են, որոնք նախագծված են STMicroelectronics® VIPower® M0-3 տեխնոլոգիայով, որոնք նախատեսված են մինչև 25 կՀց հաճախականությամբ հոսանքի ստանդարտ մոսֆետների փոխարինման համար:
Ներկառուցված ջերմային անջատումը, գծային հոսանքի սահմանափակումը և գերլարման սեղմիչը պաշտպանում են չիպը կոշտ միջավայրում:Սխալների հետադարձ կապը կարող է հայտնաբերվել մուտքային փին լարման մոնիտորինգի միջոցով:
• Գծային հոսանքի սահմանափակում
• Ջերմային անջատում
• Կարճ միացումից պաշտպանություն
• Ինտեգրված սեղմակ
• Ցածր հոսանք, որը վերցված է մուտքային քորոցից
• Ախտորոշիչ հետադարձ կապ մուտքագրման փինով
• ESD պաշտպանություն
• Ուղիղ մուտք դեպի Power MOSFET-ի դարպաս (անալոգային շարժիչ)
• Համատեղելի է ստանդարտ Power MOSFET-ի հետ