TPS53659RSBR Power Management Specialized 4+1/3+2 Dual-Channel VR13 D-CAP+&trade Step Down Multiphase Controller NVM-ով և PMBus 40-WQFN-ով
♠ Ապրանքի նկարագրություն
| Ապրանքի հատկանիշ | Հատկանիշի արժեք |
| Արտադրող: | Texas Instruments |
| Ապրանքի կատեգորիա: | Էլեկտրաէներգիայի կառավարման մասնագիտացված - PMIC |
| RoHS: | Մանրամասներ |
| Սերիա: | TPS53659 |
| Մոնտաժման ոճը. | SMD/SMT |
| Փաթեթ / Պատյան: | WQFN-40 |
| Նվազագույն աշխատանքային ջերմաստիճանը. | - 40 C |
| Առավելագույն աշխատանքային ջերմաստիճանը. | + 125 C |
| Փաթեթավորում: | Reel |
| Ապրանքանիշը: | Texas Instruments |
| Խոնավության զգայուն. | Այո՛ |
| Ապրանքի տեսակը: | Էլեկտրաէներգիայի կառավարման մասնագիտացված - PMIC |
| Գործարանային փաթեթի քանակը: | 3000 |
| Ենթակատեգորիա: | PMIC - Էլեկտրաէներգիայի կառավարման IC-ներ |
| Ֆիրմային անվանումը: | D-CAP+ |
♠ TPS53659 Երկալիքային (4-փուլ + 1-փուլ) կամ (3-փուլ + 2-փուլ) D-CAP+™ աստիճանական բազմաֆազ կարգավորիչ NVM-ով և PMBus™-ով VR13 սերվերի հիշողության համար
TPS53659-ը լիովին VR13 SVID-ին համապատասխանող կարգավորիչ է՝ երկակի ալիքներով, ներկառուցված ոչ անկայուն հիշողությամբ (NVM) և PMBus™ ինտերֆեյսով և լիովին համատեղելի է TI NexFET™ հոսանքի փուլի հետ:Ընդլայնված կառավարման առանձնահատկությունները, ինչպիսիք են D-CAP+™ ճարտարապետությունը՝ ներթափանցման կրճատմամբ (USR) ապահովում են արագ անցողիկ արձագանք, ցածր ելքային հզորություն և լավ հոսանքի փոխանակում:Սարքը նաև ապահովում է փուլերի միահյուսման նոր ռազմավարություն և փուլերի դինամիկ հեռացում՝ տարբեր բեռների դեպքում արդյունավետության բարձրացման համար:VCORE հարվածի արագության և լարման դիրքավորման կարգավորելի կառավարումը լրացնում է Intel®-ի առանձնահատկությունները:Բացի այդ, սարքն աջակցում է PMBus կապի միջերեսին՝ լարման, հոսանքի, հզորության, ջերմաստիճանի և անսարքության պայմանների հեռաչափությունը համակարգերին հաղորդելու համար:Բոլոր ծրագրավորվող պարամետրերը կարող են կազմաձևվել PMBus ինտերֆեյսի միջոցով և կարող են պահվել NVM-ում որպես նոր լռելյայն արժեքներ՝ արտաքին բաղադրիչների քանակը նվազագույնի հասցնելու համար:
TPS53659 սարքը, եթե առաջարկվում է ջերմային ուժեղացված 40-փին WQFN փաթեթավորմամբ և ունի գործելու գնահատված –40°C-ից մինչև 125°C:
• Ամբողջական VR13 սերվերի գործառույթների հավաքածու, ներառյալ թվային մուտքային էներգիայի մոնիտորը
• Ծրագրավորվող հանգույցի փոխհատուցումներ
• Կարգավորելի է ոչ անկայուն հիշողության (NVM) համարԱրտաքին բաղադրիչների ցածր քանակ
• Անհատական փուլի ընթացիկ չափորոշիչներ և հաշվետվություններ
• Դինամիկ փուլային հեռացում ծրագրավորվողովԼույսի պայմաններում արդյունավետության օպտիմալացման ընթացիկ շեմըև ծանր բեռներ
• Արագ փուլային ավելացում՝ անկման կրճատման համար(USR)
• Հետընթաց VR12.0 և VR12.5 Համատեղելի
• 8-բիթանոց DAC՝ Ընտրելի 5 մՎ կամ 10 մՎ-ովԲանաձևը և ելքային միջակայքերը 0,25 Վ-ից մինչև1,52 Վ կամ 0,5 Վ-ից մինչև 2,8125 Վ երկակի ալիքների համար
• Բարձր հաճախականության արդյունավետ փոխարկման համար առանց վարորդի կոնֆիգուրացիա
• Լիովին համատեղելի է TI NextFET™ Power Stage-ի հետբարձր խտության լուծումների համար
• Ճշգրիտ, կարգավորելի լարման դիրքավորում
• Հաճախականության ընտրանքներ փակ շրջանի հաճախականությամբԿառավարում` 300 կՀց-ից մինչև 1 ՄՀց
• Արտոնագրված AutoBalance™ փուլային հավասարակշռում
• Ընտրելի, 16 մակարդակի մեկ փուլային ընթացիկ սահմանաչափ
• PMBus™ համակարգի ինտերֆեյս հեռուստատեսության համարԼարման, հոսանքի, հզորության, ջերմաստիճանի և անսարքությանՊայմաններ
• Դինամիկ ելքային լարման անցումներ հետSVID-ի կամ PMBus-ի միջոցով ծրագրավորվող Slew Rates-ըԻնտերֆեյս
• Փոխակերպման լարման միջակայք՝ 4,5 Վ-ից մինչև 17 Վ
• Հանգիստ հոսանք
• 5 մմ × 5 մմ, 40 փին, WQFN PowerPad™Փաթեթ
• Սերվերի և հեռահաղորդակցության հավելվածների VR13 հիշողության հզորությունը
• ASIC-ին անհրաժեշտ են Dual Power Rails
• Բարձր արդյունավետությամբ պրոցեսորի հզորություն
