STD4NK100Z MOSFET Ավտոմոբիլային կարգի N-ալիք 1000 V, 5.6 Օհմ տեսակ 2.2 A SuperMESH Power MOSFET
♠ Ապրանքի նկարագրություն
| Ապրանքի հատկանիշ | Հատկանիշի արժեք |
| Արտադրող: | STMicroelectronics |
| Ապրանքի կատեգորիա: | ՄՈՍՖԵՏ |
| RoHS: | Մանրամասներ |
| Տեխնոլոգիա: | Si |
| Մոնտաժման ոճը. | SMD/SMT |
| Փաթեթ / Պատյան: | ՏՕ-252-3 |
| Տրանզիստորի բևեռականություն. | N-Channel |
| Ալիքների քանակը: | 1 ալիք |
| Vds - արտահոսքի աղբյուրի խզման լարումը: | 1 կՎ |
| Id - Շարունակական արտահոսքի հոսանք. | 2.2 Ա |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 6,8 Օմ |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | - 30 Վ, + 30 Վ |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4,5 Վ |
| Qg - Դարպասի վճար: | 18 nC |
| Նվազագույն աշխատանքային ջերմաստիճանը. | - 55 C |
| Առավելագույն աշխատանքային ջերմաստիճանը. | + 150 C |
| Pd - Power dissipation: | 90 Վտ |
| Ալիքի ռեժիմ. | Ընդլայնում |
| Որակավորում: | AEC-Q101 |
| Ֆիրմային անվանումը: | SuperMESH |
| Սերիա: | STD4NK100Z |
| Փաթեթավորում: | Reel |
| Փաթեթավորում: | Կտրել ժապավենը |
| Փաթեթավորում: | MouseReel |
| Ապրանքանիշը: | STMicroelectronics |
| Կոնֆիգուրացիա: | Միայնակ |
| Աշնանային ժամանակ. | 39 ns |
| Բարձրությունը: | 2,4 մմ |
| Երկարությունը: | 10,1 մմ |
| Ապրանք: | Power MOSFET-ներ |
| Ապրանքի տեսակը: | ՄՈՍՖԵՏ |
| Բարձրացման ժամանակ. | 7,5 ns |
| Գործարանային փաթեթի քանակը: | 2500 թ |
| Ենթակատեգորիա: | MOSFET-ներ |
| Տրանզիստորի տեսակը: | 1 N-Channel |
| Տիպ: | SuperMESH |
| Տիպիկ միացման հետաձգման ժամանակը. | 15 նս |
| Լայնությունը: | 6,6 մմ |
| Միավոր քաշը: | 0,011640 ունցիա |
♠ Ավտոմոբիլային կարգի N-ալիք 1000 V, 5,6 Ω տիպ, 2,2 A SuperMESH™ Power MOSFET Zener-ով պաշտպանված DPAK-ում
Այս սարքը N-ալիքով Zener-ով պաշտպանված Power MOSFET է, որը մշակվել է STMicroelectronics-ի SuperMESH™ տեխնոլոգիայի միջոցով, որը ձեռք է բերվել ST-ի լավ հաստատված ժապավենի վրա հիմնված PowerMESH™ դասավորության օպտիմալացման միջոցով:Ի լրումն ներգործության դիմադրության զգալի կրճատման, այս սարքը նախագծված է ապահովելու dv/dt կարողության բարձր մակարդակ առավել պահանջկոտ ծրագրերի համար:
• Նախատեսված է ավտոմոբիլային կիրառությունների համար և որակավորված AEC-Q101
• Չափազանց բարձր dv/dt հնարավորություն
• 100% ավալանշի փորձարկում
• Դարպասի գանձումը նվազագույնի է հասցվել
• Շատ ցածր ներքին հզորություն
• Zener-ով պաշտպանված
• Անցման հավելված
