IRFR6215TRPBF MOSFET 1 P-CH -150V HEXFET 580mOhms 44nC
♠ Ապրանքի նկարագրություն
| Ապրանքի հատկանիշ | Հատկանիշի արժեք |
| Արտադրող: | Ինֆինեոն |
| Ապրանքի կատեգորիա: | ՄՈՍՖԵՏ |
| Տեխնոլոգիա: | Si |
| Մոնտաժման ոճը. | SMD/SMT |
| Փաթեթ / Պատյան: | ՏՕ-252-3 |
| Տրանզիստորի բևեռականություն. | P-Channel |
| Ալիքների քանակը: | 1 ալիք |
| Vds - արտահոսքի աղբյուրի խզման լարումը: | 150 Վ |
| Id - Շարունակական արտահոսքի հոսանք. | 13 Ա |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 580 մՕմ |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | - 20 Վ, + 20 Վ |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 Վ |
| Qg - Դարպասի վճար: | 66 nC |
| Նվազագույն աշխատանքային ջերմաստիճանը. | - 55 C |
| Առավելագույն աշխատանքային ջերմաստիճանը. | + 175 C |
| Pd - Power dissipation: | 110 Վտ |
| Ալիքի ռեժիմ. | Ընդլայնում |
| Փաթեթավորում: | Reel |
| Փաթեթավորում: | Կտրել ժապավենը |
| Փաթեթավորում: | MouseReel |
| Ապրանքանիշը: | Infineon Technologies |
| Կոնֆիգուրացիա: | Միայնակ |
| Աշնանային ժամանակ. | 37 ns |
| Առջևի թափանցիկություն - Min: | 3.6 Ս |
| Բարձրությունը: | 2,3 մմ |
| Երկարությունը: | 6,5 մմ |
| Ապրանքի տեսակը: | ՄՈՍՖԵՏ |
| Բարձրացման ժամանակ. | 36 ns |
| Գործարանային փաթեթի քանակը: | 2000 թ |
| Ենթակատեգորիա: | MOSFET-ներ |
| Տրանզիստորի տեսակը: | 1 P-Channel |
| Տիպ: | Նախնական |
| Անջատման տիպիկ հետաձգման ժամանակը. | 53 ns |
| Տիպիկ միացման հետաձգման ժամանակը. | 14 նս |
| Լայնությունը: | 6,22 մմ |
| Մաս # Անանուններ. | IRFR6215TRPBF SP001571562 |
| Միավոր քաշը: | 0,011640 ունցիա |
♠ IRFR6215PbF IRFU6215PbF HEXFET® Power MOSFET
Հինգերորդ սերնդի HEXFET-ները International Rectifier-ից օգտագործում են առաջադեմվերամշակման տեխնիկա՝ նվազագույն հնարավոր դիմադրության հասնելու համարսիլիկոնային տարածք:Այս առավելությունը՝ զուգորդված արագ միացման արագության հետև կոշտ սարքի ձևավորում, ինչպիսին են HEXFET Power MOSFET-ներըլավ հայտնի, դիզայներին տրամադրում է չափազանց արդյունավետ սարքօգտագործման լայն տեսականիում:
D-PAK-ը նախատեսված է մակերեսային մոնտաժման համար՝ օգտագործելով գոլորշու փուլ,ինֆրակարմիր կամ ալիքային զոդման տեխնիկա:Ուղղակի առաջատար տարբերակը(IRFU շարքը) նախատեսված է անցքերով մոնտաժման համար:ՈւժՏիպիկ մակերևույթում հնարավոր է մինչև 1,5 վտ ցրման մակարդակտեղադրեք հավելվածները:
P-Channel
175°C գործառնական ջերմաստիճան
Մակերեւութային ամրացում (IRFR6215)
Ուղիղ կապար (IRFU6215)
Ընդլայնված գործընթացի տեխնոլոգիա
Արագ միացում
Լիովին ավալանշային գնահատված
Առանց կապարի
