Ապրանքի մանրամասն
Ապրանքի պիտակներ
| Ապրանքի հատկանիշ | Հատկանիշի արժեք |
| Արտադրող: | onsemi |
| Ապրանքի կատեգորիա: | ՄՈՍՖԵՏ |
| RoHS: | Մանրամասներ |
| Տեխնոլոգիա: | Si |
| Մոնտաժման ոճը. | SMD/SMT |
| Փաթեթ / Պատյան: | ԴՊԱԿ-3 |
| Տրանզիստորի բևեռականություն. | N-Channel |
| Ալիքների քանակը: | 1 ալիք |
| Vds - արտահոսքի աղբյուրի խզման լարումը: | 600 Վ |
| Id - Շարունակական արտահոսքի հոսանք. | 1.7 Ա |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1,9 Օմ |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | - 25 Վ, + 25 Վ |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 5 Վ |
| Qg - Դարպասի վճար: | 8.3 nC |
| Նվազագույն աշխատանքային ջերմաստիճանը. | - 55 C |
| Առավելագույն աշխատանքային ջերմաստիճանը. | + 150 C |
| Pd - Power dissipation: | 114 Վ |
| Ալիքի ռեժիմ. | Ընդլայնում |
| Ֆիրմային անվանումը: | UniFET |
| Փաթեթավորում: | Reel |
| Փաթեթավորում: | Կտրել ժապավենը |
| Փաթեթավորում: | MouseReel |
| Ապրանքանիշը: | onsemi / Fairchild |
| Կոնֆիգուրացիա: | Միայնակ |
| Աշնանային ժամանակ. | 12,8 նս |
| Առջևի թափանցիկություն - Min: | 3.4 Ս |
| Բարձրությունը: | 2,39 մմ |
| Երկարությունը: | 6,73 մմ |
| Ապրանք: | ՄՈՍՖԵՏ |
| Ապրանքի տեսակը: | ՄՈՍՖԵՏ |
| Բարձրացման ժամանակ. | 15.1 ns |
| Սերիա: | FDD4N60NZ |
| Գործարանային փաթեթի քանակը: | 2500 թ |
| Ենթակատեգորիա: | MOSFET-ներ |
| Տրանզիստորի տեսակը: | 1 N-Channel |
| Անջատման տիպիկ հետաձգման ժամանակը. | 30,2 նս |
| Տիպիկ միացման հետաձգման ժամանակը. | 12,7 ns |
| Լայնությունը: | 6,22 մմ |
| Միավոր քաշը: | 0,011640 ունցիա |
Նախորդը: NCP431BVSNT1G լարման հղումներ ANA 2.5V PROG SHUNT REF Հաջորդը: NCV8402ASTT1G MOSFET 42V 2.0A
